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<p>本論文利用溶膠凝膠法在鍍有Pt下電極之?基板上成長無鉛非當量?酸?コウ薄膜(NKN-based),透過不同RTA退火?度及高?爐?度調控,搭配XRD、XRR、SEM、XPS、J-E、εr、tanδ、室?P-E及變?P-E等量測,試圖找出較有利於鐵電記憶體的製程?度條件,並且利用額外?雜適量Li元素進入NKN結構的方式,改善薄膜之微結構並提升其電特性,進一部探討對於鐵電記憶體之影響。
從本研究可知,隨著RTA退火?度逐漸提高,特性有所提升,主要是因為薄膜結晶性變好、緻密性變高,而當RTA?度達 750 oC並</p>画面が切り替わりますので、しばらくお待ち下さい。
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